Today: 24 November 2024 RU UA EN
About Contacts

In Ukraine were introduced modern enterprise cost of for the production of host devices of optoelectronics on the basis of the nanotechnology

03 December 2011
25 листопада 2011 року у Львові, на базі Науково-виробничого підприємства «Карат» ДП ПАТ «Концерн-Електрон» відбулося відкриття першої в Україні найсучаснішої виробничої дільниці Науково-виробничого концерну «Наука» із промислового виробництва наногетероструктур різного призначення (для над’яскравих світлодіодів, концентраторних сонячних батарей та потужних НВЧ транзисторів). НВК «Наука» у співробітництві з НВП «Карат» вперше в Україні організовано виробництво конкурентноздатних гетероепітаксійних приладових структур, у тому числі з нанорозмірними активними шарами, призначених для виготовлення світлодіодів та інших приладів твердотільної електроніки методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук. Для виробництва епітаксійних гетероструктур задіяний єдиний в Україні технологічний комплекс, основою якого є установка для осаджування епітаксійного шару на напівпровідникові пластини «Veeco D-180LDM MOCVD System», установка газофазної епітаксії «ГФЕ-Мікро», установка рідиннофазної епітаксії «ЕВАРС» та сучасна лабораторія із усім необхідним контрольно-вимірювальним обладнанням, що дає можливість вирішувати складні науково-технічні задачі. У рамках Державної цільової науково-технічної програми «Нанотехнології та наноматеріали» на 2010-2014 роки та українсько-російської Програми розвитку співробітництва у сфері нанотехнологій НВК «Наука» спільно з НВП «Карат» виконали низку науково-дослідних і дослідно-конструкторських робіт та створили унікальні технології в галузі твердотільної електроніки, які будуть впроваджені у виробництво на спільній ділянці. Так, наприклад, в НВК «Наука» розроблений і реалізований концептуально новий технологічний підхід до керування домішково-дефектною системою епітаксійних шарів, що забезпечує отримання приладних епітаксійних структур А3B5 з високою однорідністю та широким діапазоном змін електрофізичних параметрів. А в НВП «Карат» розроблені фізико-хімічні основи універсальних технологій формування епітаксійних оптоелектронних структур, які базуються на застосуванні впливу рідкісноземельних елементів на процеси кристалізації епітаксійних шарів А3В5. В Україні створено сучасне підприємство світового рівня для виробництва нових приладів оптоелектроніки на основі нанотехнологій. Це дасть змогу поступово наситити ринок України вітчизняними конкурентоздатними приладами, а в майбутньому розширити постачання продукції за межі держави. НВК „Наука” вже підписаний перший контракт на загальну суму 2,5 млн. доларів США на постачання наногетероструктур у країни ЄС.

Copyright (c) ES Ukrtechinform 2017