Сегодня Украина и Европейская организация ядерных исследований (ЦЕРН) заключили Соглашение о предоставлении нашему государству статуса ассоциированного члена в ЦЕРН.
2 октября в ходе рабочего визита Вице-премьер-министра Украины Константина Грищенко в Женеву состоялась его встреча с Генеральным директором Всемирной организации интеллектуальной собственности (ВОИС) Фрэнсисом Гарри.
3 октября 2013 состоялся официальный визит делегации Украины в Женева, Швейцарская Конфедерация, по случаю подписания Соглашения между Украиной и Европейской организацией ядерных исследований (ЦЕРН) о предоставлении статуса ассоциированного члена в ЦЕРН.
Государственным агентством по вопросам науки, инноваций и информатизации Украины совместно с Немецким обществом международного сотрудничества, Национальным техническим университетом Украины "Киевский политехнический институт" будет проведен VИИ форум «Трансфер технологий и инновации: конкурентоспособная экономика и устойчивое развитие».
Третий Молодежный инновационный форум 3 октября открывается в Донецке. Его главная тема - поиск работы и трудоустройство, карьерный рост и развитие личности.
Ученые из Исследовательского института Скриппса (TSRI) создали программируемую платформу для изготовления синтетических клеточных мембран.
Используя известный метод осаждения атомарных слоев, а также рулон липкой ленты, совместная группа ученых из США и Кореи разработала методику создания тонких зазоров в металлических слоях. Через эти зазоры может проходить как оптическое излучение видимого и ближнего инфракрасного диапазона, так и волны терагерцовой области, несмотря на то, что длина волны излучения в сотни и тысячи раз превышает ширину зазора. Предложенная технология позволит ученым быстро создавать узкие зазоры и щели шириной порядка 1 нм длинной до нескольких миллиметров, что до сих пор было невозможно. Как считают исследователи, методика пригодится для создания сверхбыстрых энергосберегающих наноразмерных устройств, в частности, оптических переключателей и миниатюрных чипов.
Copyright (c) ГП "Укртехинформ" 2017
